تعداد ۱ پاسخ غیر تکراری از ۱ پاسخ تکراری در مدت زمان ۰,۲۸ ثانیه یافت شد.

1. Process and device simulation for MOS-VLSI circuits

پدیدآورنده : edited by Paolo Antogentti...)et al.(

کتابخانه: کتابخانه مرکزی و مرکز اطلاع رسانی دانشگاه فردوسی مشهد (خراسان رضوی)

موضوع : Very large scale integration - Simulation methods - Congresses ، Integrated circuits,Metal oxide simulation methods - Congresses

رده :

TK

7874

.

N343

1982

»
1
«

این پایگاه با مشارکت موسسه علمی - فرهنگی دارالحدیث و مرکز تحقیقات کامپیوتری علوم اسلامی (نور) اداره می شود
مسئولیت صحت اطلاعات بر عهده کتابخانه ها و حقوق معنوی اطلاعات نیز متعلق به آنها است